示例:旋转振动福彩3d字迷:SiH2

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开壳分子SIH的自旋翻转激励福彩3d字迷计算2

$ADFBIN/adf << eor
Title spin-flip excitation energies of SiH2
Atoms Zmatrix
 Si 0  0  0
 H  1  0  0  1.5145
 H  1  2  0  1.5145  92.68
End

excitations
  lowest 20
end

unrestricted
charge 0 2

SFTDDFT
FORCEALDA
TDA

Basis
 Type TZ2P
End

End input
eor

在该示例中,在旋转 - 不受限制的TDDFT计算中计算SIH2的最低20个自旋翻转激励福彩3d字迷。

在这种情况下,激励状态用作参考,这意味着还可以存在负激励福彩3d字迷,这实际上是这种情况。 SCF中使用的电子配置是 \((a_1)^ 1 \) \((b_1)^ 1 \), 和 \(s_z = 1 \)因此A. \(^ 3 b_1 \) 国家,这是一个激动的状态。这 \(^ 1 a_1 \) 具有电子配置的状态 \((a_1)^ 2 \) 福彩3d字迷较低,是地面状态。

还有一个具有电子配置的激动的1A1状态 \((b_1)^ 2 \)。从地面1A1状态到激发的1A1状态的过渡是电子配置的激励 \((a_1)^ 2 \)\((b_1)^ 2 \)。该转变实际上是双激发,这意味着可以使用纯旋转TDDFT与仔细选择的参考状态来达到一些双重激发。

在Mo→Mo转换部分的输出文件的激发部分中,还指定了每个分子轨道的旋转,以帮助分配激发态的旋转状态。注意,在这些自旋翻转计算中,过渡始终从α旋转轨道到β或β旋转轨道到α旋转轨道。

对于开壳分子,旋转转换会导致以不同的Sz值转换到地状态,而过渡密度的对称是A1。这种转变的激励福彩3d字迷应该为零,这可用于测试旋转TDDFT的可靠性。实际上,SiH2的旋转振动福彩3d字迷的计算显示了一个接近零并且具有A1对称的过渡密度的一个值。

具有电子配置的1A1状态 \((a_1)^ 2 \) 也可以用于计算励磁福彩3d字迷。这是一个封闭的外壳配置,在这种情况下,我们不需要自旋翻转方法。

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Title excitation energies of SiH2
Atoms Zmatrix
 Si 0  0  0
 H  1  0  0  1.5145
 H  1  2  0  1.5145  92.68
End

excitations
  lowest 20
end

Basis
 Type TZ2P
End

End input
eor

从地面过渡 \(^ 1 a_1 \) 态度到兴奋 \(^ 1 a_1 \) 状态,这是电子配置的激励 \((a_1)^ 2 \)\((b_1)^ 2 \)在此计算中无法达到,因为它主要具有双激励特征。当然,其他兴奋 \(^ 1 a_1 \) 可以达到各国。